全球内存行业正式启动下一代DRAM标准"DDR6"的市场化进程。这项旨在突破DDR5物理极限的新技术，将为高带宽计算需求提供全新内存平台解决方案。 据业界消息，三星电子、SK海力士、美光均已完成DDR6规格的初期原型开发，正与英特尔、AMD、英伟达等CPU/GPU厂商共同推进平台验证。当前目标性能为8800MT/s，后续计划提升至17600MT/s，达到现行DDR5最高速度（约8000MT/s）的 ...

自从QLC闪存在过去一两年量产并上市之后，主流玩家的选择不是TLC就是QLC闪存了，这两种闪存谁好谁坏也争了很久了。微星今天也来科普TLC与QLC闪存 ...

全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款 ...

在性能方面，SLC无疑是最优的，无论是写入速度还是读取速度都最快，其次是MLC，然后是TLC，性能最低的是QLC。不过需要注意的是，SSD的性能不仅仅 ...

IT之家 7 月 25 日消息，铠侠今日宣布出样基于第九代 BiCS FLASH 3D 闪存技术的 512Gb TLC 芯片，并计划于 2025 财年内（IT之家注：2026 年 4 月前）实现该型号的量产。

TLC：三层存储单元 TLC每个cell存储3bit数据，这进一步提高了存储密度，使得成本更低。 但对应的，其寿命也进一步降低，理论擦写次数为1000-3000次。

全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用。

另外一方面，一个单元下，MLC和SLC闪存分别只可以存储2个信息和1个信息，而TLC闪存则达到了3个。 换句话说，同样单元下TLC闪存所存储的信息最多。

TLC最让人担忧的无疑是其写入寿命，在耐久之前笔者也是抱着怀疑的态度，特别是在初期，我们每次的测试间隔仅为50TB，依次经历了50TB、100TB、150TB、200TB，直至400TB的耐久测试。 测试三星850 EVO SSD的序列号为S21MNWAFB00118E。 耐久测试前的全新850 EVO 250GB SSD 50TB耐久写入 ...

与三星 (V-NAND)、美光 (CTF CuA) 和 SK 海力士 (4D PUC) 现有的 128L 512 Gb 3D TLC NAND 产品相比，长江存储芯片尺寸更小，这使其比特密度最高。四板芯片平面图和双层阵列结构与美光和SK海力士相同，但每串选择器和虚拟WL的数量为13个，比美光和SK海力士小（两者均为147T）。由于其 Xtacking 混合键合方法，使用 ...